N.º art.: 6368-3879337
N.º fabricante: SI2303CDS-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.158 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SI2303CDS-T1-GE3 ,
3879337 ,
387-9337
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