VISHAY SI1022R-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 60V, 0.33A, SC-75A

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.25 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 330 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SC-75A Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 250 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised