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| N.º art.: 6368-3886388 N.º fabricante: IQE065N10NM5CGATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0057 ohm Gama de Producto OptiMOS 5 Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 9 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 85 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TTFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 100 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IQE065N10NM5CGATMA1, 3886388, 388-6388 |
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