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| N.º art.: 6368-3912062 N.º fabricante: GD50HFX65C1S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Gama de Producto - Tensión Colector-Emisor Máx 650 V Encapsulado del Transistor Module Corriente de Colector Continua 75 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Terminación IGBT Perno Tensión de Saturación de Colector-Emisor 1.45 V Disipación de Potencia 205 W Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnología IGBT Zanja Montaje de Transistor Panel Configuración IGBT Medio Puente Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, IGBT, Módulos, Semiconductores, STARPOWER, GD50HFX65C1S, 3912062, 391-2062 |
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