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| N.º art.: 6368-3927789 N.º fabricante: SIHG24N80AEF-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto EF Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247AC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHG24N80AEF-GE3, 3927789, 392-7789 |
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