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INFINEON IMBG65R022M1HXTMA1 MOSFET, SIC, CANAL N, 650V, 64A, TO-263


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N.º art.:
     6368-3928619
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMBG65R022M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto CoolSiC M1 Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 64 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 300 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMBG65R022M1HXTMA1, 3928619, 392-8619
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,95*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partir de € 3,87*
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