N.º art.: 6368-3929205
N.º fabricante: SIHG47N65E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-247AC Corriente de Drenaje Continua Id 47 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 417 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
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VISHAY ,
SIHG47N65E-GE3 ,
3929205 ,
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