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| N.º art.: 6368-3929210 N.º fabricante: SIHG21N65EF-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-247AC Corriente de Drenaje Continua Id 21 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto E Series Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHG21N65EF-GE3, 3929210, 392-9210 |
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