N.º art.: 6368-3929216
N.º fabricante: SIHB21N65EF-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Corriente de Drenaje Continua Id 21 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
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3929216 ,
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