VISHAY SIHA12N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 10.5A, TO-220FP

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.33 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-220FP Corriente de Drenaje Continua Id 10.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 32 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised