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VISHAY SQ4282EY-T1_GE3 MOSFET DOBLE CANAL N, 30V, 8A, SOIC


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N.º art.:
     6368-3929246
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQ4282EY-T1_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 8 A Gama de Producto Serie TrenchFET Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 8 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 3.9 W Disipación de Potencia Canal P 3.9 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOIC Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SQ4282EY-T1_GE3, 3929246, 392-9246
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