| |
|
| N.º art.: 6368-3930195 N.º fabricante: IXTK110N20L2 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.024 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 110 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-264 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200 V Disipación de Potencia 960 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, LITTELFUSE, IXTK110N20L2, 3930195, 393-0195 |
| | |
| |