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INFINEON S80KS5122GABHI020 DRAM, 512MBIT, -40 A 85°C


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-3935567
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     S80KS5122GABHI020
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Circuitos
DRAM
Integrados
Memoria
Tensión de Alimentación Nominal 1.8 V Tipo de DRAM HyperRAM Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 24 Pines Encapsulado del CI FBGA Densidad de Memoria 512 Mbit Temperatura de Funcionamiento Máx. 85 °C Montaje de Cirucito Montaje en superficie Configuración de Memoria 64M x 8bit Temperatura de Trabajo Mín. -40 °C Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Frecuencia de Reloj Máx. 200 MHz
Más información:
Customs tariff number:
85423231
Otros conceptos de búsqueda: Semiconductores, INFINEON, S80KS5122GABHI020, 3935567, 393-5567
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