DIODES INC. DMN10H700S-13 MOSFET, CANAL N, 100V, 0.7A, SOT-23

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.54 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 700 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 400 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)