N.º art.: 6368-3943539
N.º fabricante: DMN2009USS-13
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0063 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.4 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
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Customs tariff number:
85412100
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