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| N.º art.: 6368-3954177 N.º fabricante: SQJQ184ER-T1_GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0012 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 430 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 600 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQJQ184ER-T1_GE3, 3954177, 395-4177 |
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