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INFINEON IMW120R007M1HXKSA1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 225A, TO-247


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N.º art.:
     6368-3958239
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMW120R007M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.007 ohm Gama de Producto CoolSiC Trench Series Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 225 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 750 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMW120R007M1HXKSA1, 3958239, 395-8239
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS 18 A PG-DSO-8-66 8 pines
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partir de € 1,769*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,95*
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