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| N.º art.: 6368-3977637 N.º fabricante: TK16G60W5,RVQ(S EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.18 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Corriente de Drenaje Continua Id 15.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 130 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK16G60W5,RVQ(S, 3977637, 397-7637 |
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