TOSHIBA TK12V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 11.5A, DFN

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.265 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor DFN Corriente de Drenaje Continua Id 11.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 104 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised