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| N.º art.: 6368-3977647 N.º fabricante: TK16E60W,S1VX(S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-220 Corriente de Drenaje Continua Id 15.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 130 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK16E60W,S1VX(S, 3977647, 397-7647 |
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