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| N.º art.: 6368-3977649 N.º fabricante: TK16V60W,LVQ(S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor DFN Corriente de Drenaje Continua Id 15.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 139 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK16V60W,LVQ(S, 3977649, 397-7649 |
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