NEXPERIA PMPB09R5TPX MOSFET, CANAL P, 20V, 10.5A, DFN2020M

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0095 ohm Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 10.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN2020M Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.9 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 750 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)