| |
|
| N.º art.: 6368-4014259 N.º fabricante: UJ3C065080T3S EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-220 Corriente de Drenaje Continua Id 31 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 190 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Diodo Schottky, Diodos Schottky, Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFET, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, UNITEDSIC, UJ3C065080T3S, 4014259, 401-4259 |
| | |
| |