N.º art.: 6368-4014707
N.º fabricante: SIDR626EP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00145 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 227 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO-DC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 150 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SIDR626EP-T1-RE3 ,
4014707 ,
401-4707
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