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| N.º art.: 6368-4014737 N.º fabricante: SQS160ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 141 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212-8SLW Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 113 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQS160ELNW-T1_GE3, 4014737, 401-4737 |
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