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| N.º art.: 6368-4036823 N.º fabricante: NVBG022N120M3S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 58 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263HV (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 234 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.72 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NVBG022N120M3S, 4036823, 403-6823 |
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