| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4051292 N.º fabricante: NTBG060N065SC1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.07 ohm Gama de Producto - Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 46 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 170 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NTBG060N065SC1, 4051292, 405-1292 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |