N.º art.: 6368-4058232
N.º fabricante: SIHK045N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.045 ohm Gama de Producto EF Gen IV Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 47 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 278 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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SIHK045N60EF-T1GE3 ,
4058232 ,
405-8232
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