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NEXPERIA PSMN1R1-30YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 265A, SOT-669


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N.º art.:
     6368-4078655
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN1R1-30YLEX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00101 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 265 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-669 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 192 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PSMN1R1-30YLEX, 4078655, 407-8655
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