ONSEMI NTH4L014N120M3P MOSFET, SIC, 1.2KV, 127A, TO-247

Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 127 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 686 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.63 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)