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| N.º art.: 6368-4079792 N.º fabricante: NTMT045N065SC1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.033 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 39 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TDFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 187 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85414900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ONSEMI, NTMT045N065SC1, 4079792, 407-9792 |
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