INFINEON IPB026N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 162A, TO-263

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 162 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 250 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)