| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4134225 N.º fabricante: IPB040N08NF2SATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 107 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 150 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, mosfet 10v, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPB040N08NF2SATMA1, 4134225, 413-4225 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |