ROHM R6004RND3TL1 MOSFET, N-CH, 600V, 4A, TO-252

Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.33 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-252 Corriente de Drenaje Continua Id 4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 60 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised