ROHM RH6L040BGTB1 MOSFET, N-CH, 60V, 65A, HSMT

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor HSMT Corriente de Drenaje Continua Id 65 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 59 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised