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ROHM BSM600D12P4G103 MOSFET, DOBLE CANAL N, 1.2KV, 567A, MOD


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Información de productos

N.º art.:
     6368-4168760
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     BSM600D12P4G103
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) - Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor - Gama de Producto - Número de Pines 11 Pines Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble Encapsulado del Transistor Module Corriente de Drenaje Continua Id 567 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 1.78 kW Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ROHM, BSM600D12P4G103, 4168760, 416-8760
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