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| N.º art.: 6368-4168772 N.º fabricante: R6022YNZ4C13 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.137 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 22 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247G Disipación de Potencia 205 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, R6022YNZ4C13, 4168772, 416-8772 |
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