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| N.º art.: 6368-4168775 N.º fabricante: R6014YND3TL1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.215 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-252 Corriente de Drenaje Continua Id 14 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 132 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, R6014YND3TL1, 4168775, 416-8775 |
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