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| N.º art.: 6368-4168776 N.º fabricante: RD3P01BATTL1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.181 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Corriente de Drenaje Continua Id 10 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, RD3P01BATTL1, 4168776, 416-8776 |
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