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| N.º art.: 6368-4168906 N.º fabricante: XP2N1K2EN1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 2.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto XP2N1K2E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor SOT-723 Corriente de Drenaje Continua Id 200 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 150 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, YAGEO XSEMI, XP2N1K2EN1, 4168906, 416-8906 |
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