| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4168908 N.º fabricante: XP2306GN EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.03 ohm Gama de Producto XP2306 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor SOT-23 Corriente de Drenaje Continua Id 5.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.38 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.25 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, YAGEO XSEMI, XP2306GN, 4168908, 416-8908 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |