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| N.º art.: 6368-4168928 N.º fabricante: XP3NA3R4MT EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0034 ohm Gama de Producto XP3NA3R4 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor PMPAK Corriente de Drenaje Continua Id 73 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, YAGEO XSEMI, XP3NA3R4MT, 4168928, 416-8928 |
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