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| N.º art.: 6368-4168945 N.º fabricante: XP3N028EN EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto XP3N028E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor SOT-23S Corriente de Drenaje Continua Id 5.4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, YAGEO XSEMI, XP3N028EN, 4168945, 416-8945 |
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