| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-4168949 N.º fabricante: XP3P010M EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto XP3P010 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor SOIC Corriente de Drenaje Continua Id 13.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, YAGEO XSEMI, XP3P010M, 4168949, 416-8949 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |