YAGEO XSEMI XP3P050AM MOSFET, P-CH, 30V, 5.8A, SO-8

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama de Producto XP3P050A Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor SOIC Corriente de Drenaje Continua Id 5.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised