YAGEO XSEMI XP3P055N MOSFET, P-CH, 30V, 3.9A, SOT-23S

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.055 ohm Gama de Producto XP3P055 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Encapsulado del Transistor SOT-23S Corriente de Drenaje Continua Id 3.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised