YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A MOSFET, CANAL N, 45V, 223A, DSOP

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0014 ohm Gama de Producto XP4NA1R4C Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor PMPAK Corriente de Drenaje Continua Id 223 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 45 V Disipación de Potencia 5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised