YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-220CFM

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto XP65AN1K2 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-220CFM Corriente de Drenaje Continua Id 7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 1.92 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised