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| N.º art.: 6368-4173007 N.º fabricante: TK12E80W,S1X(S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.38 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 11.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 165 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK12E80W,S1X(S, 4173007, 417-3007 |
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