TOSHIBA TK14E65W5,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, TO-220

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 13.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 130 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised